Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x用于氧化釔（Y?O?）涂層厚度測(cè)量。它可快速準(zhǔn)確地繪制大型氧化鋁陶瓷圓盤(pán)上的抗等離子涂層Y?O?層厚度。下面我們來(lái)看看用Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化釔（Y?O?）涂層厚度的具體情況。
Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化釔（Y?O?）的案例分析：
氧化釔（Y?O?）是一種非常有前景抗等離子涂層材料，且在集成電路中特征尺寸的持續(xù)減小應(yīng)用在化學(xué)機(jī)械拋光后的高度平整工藝用作化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）的磨料，具有獷泛的應(yīng)用范圍。氧化釔（Y?O?）由于其較高的溫度穩(wěn)定性和對(duì)具有高氧親和力的堿性熔體的出色耐受性，還用于許多特殊應(yīng)用，例如絕緣體、玻璃、導(dǎo)電陶瓷、耐火材料、著色劑。其他應(yīng)用包括各種領(lǐng)域的透光材料，例如透鏡、棱鏡或玻璃，作為金屬-鐵電-絕緣體-半導(dǎo)體中合適的緩沖層，用于單晶體管 FeRAM 的結(jié)構(gòu)。在本應(yīng)用說(shuō)明中，Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x用于在自動(dòng)測(cè)量氧化鋁陶瓷盤(pán)上氧化釔的厚度分布圖。
為什么使用它，有什么目的和方法：
被測(cè)量的樣品是一個(gè)直徑為560mm表面帶有氧化釔（Y?O?）層的氧化鋁圓盤(pán)。使用Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x進(jìn)行測(cè)量，光譜范圍為370nm-1020nm，能夠測(cè)量15nm至100um的涂層厚度。該機(jī)型通過(guò)旋轉(zhuǎn)和線性載物臺(tái)移動(dòng)樣品來(lái)繪制待測(cè)樣品厚度分布圖。通過(guò)軟件行成的圖案包括樣品表面（R，theta）位置的208個(gè)點(diǎn)。
儀器的測(cè)量結(jié)果：
在下面的圖像中，氧化釔（Y?O?）層的理論值（紅線）和樣品表面反射光譜（綠線）與厚度分布圖一并呈現(xiàn)說(shuō)明，如軟件上所見(jiàn)，樣品經(jīng)過(guò)數(shù)次重復(fù)性?huà)呙铚y(cè)量以確定工具的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性，并得出統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。
結(jié)論：
使用Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x成功的測(cè)量鋁陶瓷盤(pán)的氧化釔（Y?O?）層的厚度分布。通過(guò)厚度測(cè)量并分析統(tǒng)計(jì)區(qū)域的厚度分布和均勻性，快速且無(wú)損地測(cè)量了薄膜厚度以保護(hù)陶瓷部件在等離子腔體中不受損壞。Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x是一種快速、準(zhǔn)確測(cè)量大面積或預(yù)選位置上薄膜或疊層薄膜解決方案。
