實現快速、潔凈且高性價比的晶圓切割

TLS 劃片（熱激光分離）是一種獨特的技術，利用熱誘導產生的機械應力來分離硅（Si）、碳化硅（SiC）、鍺（Ge）等脆性半導體材料。該技術可將晶圓分割成芯片，同時實現邊緣質量，顯著提升制造良率與產能。與傳統的劃片技術（如刀片切割和激光燒蝕）相比，TLS 劃片工藝更潔凈，切割邊緣無微裂紋，并能獲得更高的抗彎強度。

TLS 劃片的切割速度可達每秒 300 毫米，相比傳統劃片方法，其工藝吞吐量可提升高達 10 倍，尤其適用于碳化硅（SiC）基器件，能夠真正實現高產能的大規模生產。

此外，與其它晶圓劃片方法相比，TLS 劃片可將每片晶圓的劃片成本降低一個數量級甚至更多。

TLS-Dicing 是一種無切縫（kerf-free）的激光解理工藝，可實現： 

切割后芯片邊緣質量好

•幾乎無崩邊和微裂紋

•抗彎強度

•電學特性

成本優勢與效率

•高工藝速度帶來高吞吐量

•無需刀具，幾乎無耗材，顯著降低擁有成本（CoO）

•無切縫解理，幾乎不產生顆粒 

TLS-Dicing 是一種用于解理脆性半導體材料的兩步分離工藝。